第三章 存储器及其接口
半导体存储器分类：
1. 随机存取存储器，RAM
(1) 静态RAM，SRAM (HM6116，2K * 8)
(2) 动态RAM，DRAM，需要刷新电路 (2164，64K * 1)
2. 只读存储器，ROM
(1) PROM，可编程ROM，一次性写入ROM
(2) EPROM，可擦除可编程ROM (INTEL2732A，4K * 8)
(3) EEPROM，电可擦除可编程ROM
半导体存储器的性能指标：
1. 存储容量
2. 存取速度 (用两个时间参数表示：存取时间，存取周期)
3. 可靠性
4. 性能/价格比
内存条及其特点：
内存条是一个以小型板卡形式出现的存储器产品，它的特点是：安装容易，便于用户进行更换，也便于扩充内存容量
HM6116、2164、INTEL2732A的外特性 (教科书 P50 ~ P53)
INTEL2732A的6种工作方式：
1. 读
2. 输出禁止
3. 待用
4. 编程
5. 编程禁止
6. INTEL标识符
实现片选控制的三种方法：
1. 全译码
2. 部分译码 (可能会产生地址重叠)
3. 线选法
地址重叠——多个地址指向同一存储单元
存储器芯片同CPU连接时应注意的问题：
1. CPU总线的负载能力问题
2. CPU的时序同存储器芯片的存取速度的配合问题
16位微机系统中，内存储器芯片的奇偶分体：
1. 1M字节分成两个512K字节 (偶存储体，奇存储体)
2. 偶存储体同低8位数据总线(D7 ~ D0)相连接，奇存储体同高8位数据总线(D15 ~ D8)相连接
3. CPU的地址总线A19 ~ A1同两个存储体中的地址线A18 ~ A0相连接，CPU地址总线的最低位A0和BHE(低电平)用来选择存储体
4. 要访问的16位字的低8位字节存放在偶存储体中，称为对准字，访存只需要一个总线周期;要访问的16位字的低8位字节存放在奇存储体中，称为未对准字，访存需要两个总线周期
5. 8088CPU数据总线是8位，若进行字操作，则需要两个总线周期，第一个周期访问低位，第二个周期访问高位
存储器的字位扩展，考试必考 (教科书 P71 习题2、习题6)
74LS138的综合应用必须熟练掌握，考试必考： (教科书 P55 ~ P58; P71 ~ P72 习题7、习题8; P231 第五2题)
1. 存储器芯片的地址范围
2. 地址线的连接 (片内地址，片外地址)
3. 数据线的连接
4. 控制线的连接 (片选信号CE，写信号WE，输出信号OE等，以上信号都为低电平)
